| p-Si TFT的电场增强MILC制备技术 |
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| 引用本文： | 曾祥斌.p-Si TFT的电场增强MILC制备技术[J].华中科技大学学报(自然科学版),2006,34(7):85-87. |
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| 作者姓名： | 曾祥斌 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-SiTFT的好方法.
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| 关 键 词： | 金属诱导侧向晶化 电场增强晶化 多晶硅薄膜 薄膜晶体管 |
| 文章编号： | 1671-4512（2006）07-0085-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-31 |
| 修稿时间： | 2005年5月31日 |
Preparation of poly-Si thin films and TFTs by electric-field enhanced metal-induced lateral crystallization |
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| Zeng Xiangbin.Preparation of poly-Si thin films and TFTs by electric-field enhanced metal-induced lateral crystallization[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2006,34(7):85-87. |
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| Authors: | Zeng Xiangbin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metal-induced lateral crystallization (MILC) electric-field enhanced crystallization polycrystalline silicon thin film thin film transistor (TFT) |
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