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| MoOx膜中O含量对绿光OLED器件性能的影响 | |
| 作者姓名： | 向艳 宗艳凤 余承东 胡俊涛 |
| 作者单位： | 1. 中航华东光电有限公司 安徽芜湖 241002 2. 合肥工业大学光电技术研究院 安徽合肥 230009;合肥工业大学仪器科学与光电工程学院 安徽合肥 230009 3. 合肥工业大学光电技术研究院 安徽合肥 230009 |
| 摘 要： | 文章为提高以MoO,作缓冲层的绿光电致发光器的空穴注入效率,分别对该缓冲层进行紫外光处理和等离子体处理,研究处理前后其O含量的变化及对器件空穴注入能力的影响.实验结果表明,MoO,蒸镀成膜后变为MoOx,其经紫外光处理后,O含量增多,相应的器件空穴注入能力减弱;而经等离子体处理的MoOx膜,其O含量减少,器件性能提高,最高亮度和电流效率分别达到24000 cd/m2、4.23 cd/A.我们认为该器件的性能与MoOx中O的含量有很大关系,当O含量减少时,造成了更多的氧缺位,降低了MoOx的功函数,提高了器件的空穴注入能力. |
| 关 键 词： | MoO3 紫外光处理 等离子体处理 O含量 |
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