| 氧化锆基阻变存储器中金掺杂效应的第一性原理研究 |
| |
| 引用本文： | 韦晓迪,魏巍,马国坤,叶葱,周昊,何品,沈谅平,黄忠兵.氧化锆基阻变存储器中金掺杂效应的第一性原理研究[J].中国科学:信息科学,2018(5). |
| |
| 作者姓名： | 韦晓迪 魏巍 马国坤 叶葱 周昊 何品 沈谅平 黄忠兵 |
| |
| 作者单位： | 湖北大学物理与电子科学学院湖北省铁电压电材料与器件重点实验室;中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室 |
| |
| 摘 要： | 氧空位在过渡金属氧化物阻变存储器的电阻转变中有重要作用.采用第一性原理计算方法,研究Au掺杂前后阻变层材料ZrO_2的能带结构、态密度、氧空位的形成能和迁移势垒能来分析氧化锆基阻变存储器中的Au掺杂效应.研究发现,Au掺杂后ZrO_2费米能级处出现了局域化杂质带且禁带宽度减小,由此提升了ZrO_2的导电能力;Au掺杂后氧空位形成能及迁移势垒能显著降低,从而有利于氧空位的形成和迁移,进而降低ZrO_2基阻变存储器的形成(forming)电压与置位(set)电压.我们利用电子局域函数模拟ZrO_2超晶胞001]方向包含掺杂元素Au的氧空位列,结果表明局域在杂质周围的氧空位在001]方向形成有序导电通道.
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
