基于D-D/D-T中子源的中子受激辐射计算机断层扫描成像的比较研究 |
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引用本文: | 赵亮,范亚明,董明,李英帼,王天泉,李中星,佟林格,尹永智,陈熙萌.基于D-D/D-T中子源的中子受激辐射计算机断层扫描成像的比较研究[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2018(2). |
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作者姓名: | 赵亮 范亚明 董明 李英帼 王天泉 李中星 佟林格 尹永智 陈熙萌 |
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作者单位: | 兰州大学核科学与技术学院; |
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摘 要: | 对比研究了D-D和D-T中子源在中子受激辐射计算机断层扫描成像(NSECT)中的应用,建立了TiT/TiD靶、水体模内放置/未放置铁球4种计算模型,并利用MCNP程序分别模拟了D-D,D-T中子源产生2.5和14 MeV左右中子束在该系统中的中子输运过程,记录并获得了出射中子和特征γ射线通量分布及能谱图,该研究对中子成像方面中子源的选择及平台的搭建有指导作用.从出射中子和特征γ射线通量分布发现,激发的特征γ射线会保持与入射中子束同样的前倾方向,为了得到尽可能多的特征γ射线,确定了在D-D和D-T两种中子源成像中,实验上应该在Z=0的平面上与中子束传播方向呈43.6°–50.9°范围内布置γ射线探测器.D-D和D-T两种中子源的NSECT高能γ探测器最佳的放置位置稍有不同,但都需要保持在43.6°–50.9°的范围内.从特征γ射线能谱发现,~(56)Fe和~(16)O对应的特征峰能量与模拟数据的激发能完全吻合,证明了NSECT技术识别元素的能力,很有可能在追踪治疗过程以及研究活体(包括人体)分子过程中崭露头角.
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