| 350—1200eV氖原子的电子散射全截面测量装置及结果 |
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| 引用本文： | 杨炳忻.350—1200eV氖原子的电子散射全截面测量装置及结果[J].科学通报,1993,38(22):2038-2038. |
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| 作者姓名： | 杨炳忻 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系 合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院数理化局重点项目资助课题. |
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| 摘 要： | 进入80年代以来,中能区的电子散射全截面的精确测量引起了广泛的兴趣.Zecca 等人、Garcia 等人、Wagenaar 等人以及 Kauppila 等人相继建立起了自己的电子散射全截面测量装置,但至今在800eV 以上能区的数据仍然很少并且相互差异较大,Zecca 等人和Kauppila 等人采用的还是传统的 Ramsauer 技术,在高能区由于角分辨较差,其全截面数据有相当大的系统误差.因此,对高于800eV 能区的电子散射全截面的精确实验测量仍然很
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| 关 键 词： | 电子直线透射 散射 全截面 氖原子 |
| 收稿时间： | 1992-09-16 |
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