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H2/CH4/H2S/Ar气氛合成n型金刚石薄膜过程中硫分布的数值模拟
引用本文:南景宇,赵庆勋,乔晓东,闫正,刘保亭,张靖.H2/CH4/H2S/Ar气氛合成n型金刚石薄膜过程中硫分布的数值模拟[J].河北大学学报(自然科学版),2005,25(4):369-372.
作者姓名:南景宇  赵庆勋  乔晓东  闫正  刘保亭  张靖
作者单位:1.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北北方学院,物理系,河北,张家口,075028; 2.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002
基金项目:河北省自然科学基金资助项目(503130)
摘    要:本工作采用Monte Carlo方法,根据辉光放电理论,对以H2S为掺杂源气体采用EACVD技术合成n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程进行了模拟.得出不同气压、偏压情况下n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程中掺杂元素S和S+粒子数分布,计算结果对掺杂过程的研究具有参考价值.

关 键 词:Monte  Carlo  方法  金刚石薄膜  n型掺杂  EACVD  
文章编号:1000-1565(2005)04-0369-04
修稿时间:2005年3月10日

Numerical Simulations of Particle Distributions for Sulfur Doped n-type Diamond Thin Film in the Mixture of H2/CH4/H2S/Ar
NAN Jing-yu,ZHAO Qing-xun,QIAO Xiao-dong,YAN Zheng,LIU Bao-ting,ZHANG Jing.Numerical Simulations of Particle Distributions for Sulfur Doped n-type Diamond Thin Film in the Mixture of H2/CH4/H2S/Ar[J].Journal of Hebei University (Natural Science Edition),2005,25(4):369-372.
Authors:NAN Jing-yu  ZHAO Qing-xun  QIAO Xiao-dong  YAN Zheng  LIU Bao-ting  ZHANG Jing
Institution:NAN Jing-yu~
Abstract:Monte Carlo simulations are adopted to study the dynamic process of n-type diamond film doped in the gas of H_2S based on the theory of glow discharge in electron-assisted chemical vapor deposition (EACVD) system. The dynamic process of n-type dope diamond film is simulated under different gas pressure and bias voltage. The particle distributions of S and S~+ have been obtained. The result is very important for investigation of n-type diamond film doping at low temperature.
Keywords:Monte Carlo simulation  Diamond film  n-type doping  EACVD
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