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| HEMT压力传感器 | |
| 作者单位： | ;1.烟台大学光电信息科学技术学院 |
| 摘 要： | 利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气(2DEG)的特性,设计了一种基于高电子迁移率场效应管(HEMT)的压强传感器;并利用标准的微电子工艺和背部深硅刻蚀技术制作了器件;对器件在不同压强下的源-漏I-V特性进行了测试和评价.结果表明本文设计制作的压强传感器的I-V特性对压强的变化能做出灵敏的反应.Ⅲ族氮化物半导体器件具有高速度、高灵敏、大功率和耐高温等特点,本压强传感器具有更广的应用领域. |
| 关 键 词： | Ⅲ族氮化物半导体 二维电子气 高电子迁移率场效应管 压强传感器 |
HEMT Pressure Sensor |
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| Keywords: | |
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