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有机反转电致发光器件的负阻特性
引用本文:李建丰,孙硕,张春林,李海蓉,欧谷平,张福甲. 有机反转电致发光器件的负阻特性[J]. 兰州大学学报(自然科学版), 2008, 44(2): 124-127
作者姓名:李建丰  孙硕  张春林  李海蓉  欧谷平  张福甲
作者单位:兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000;兰州交通大学数理与软件工程学院,甘肃兰州730070;兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州,730000
摘    要:对结构为Si/Al/Alqs/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件Ⅰ-Ⅴ特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.

关 键 词:有机电致发光器件  反转型器件  负阻现象  电流连续性方程
文章编号:0455-2059(2008)02-0124-04
修稿时间:2007-08-30

Negative resistance characteristics of inverted organic light-emitting devices
LI Jian-Feng,SUN Shuo,ZHANG Chun-lin,LI Hai-rong,OU Gu-ping,ZHANG Fu-Jia. Negative resistance characteristics of inverted organic light-emitting devices[J]. Journal of Lanzhou University(Natural Science), 2008, 44(2): 124-127
Authors:LI Jian-Feng  SUN Shuo  ZHANG Chun-lin  LI Hai-rong  OU Gu-ping  ZHANG Fu-Jia
Abstract:
Keywords:
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