GaP1-χNχ混晶(χ-0.24%~3.1%)发光复合机制的研究 |
| |
引用本文: | 吕毅军 高玉琳 林顺勇 郑健生 张勇 MascarenhasA 辛火平 杜武青.GaP1-χNχ混晶(χ-0.24%~3.1%)发光复合机制的研究[J].厦门大学学报(自然科学版),2004,43(4):491-495. |
| |
作者姓名: | 吕毅军 高玉琳 林顺勇 郑健生 张勇 MascarenhasA 辛火平 杜武青 |
| |
作者单位: | [1]厦门大学物理学系福建厦门361005 [2]美国可再生能源实验室美国 [3]美国加州弗吉尼亚大学电机工程系美国 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金(60276002)和福建省自然科学基金(A0110007)资助 |
| |
摘 要: | 利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制.GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分χ≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(χ≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征.另一方面也表现出新的发光机制.
|
关 键 词: | 发光 半导体 带隙弯曲 变温光致发光 GaP1-χNχ混晶 激活能 |
文章编号: | 0438-0479(2004)04-0491-05 |
修稿时间: | 2003年7月30日 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |