| GaP1-χNχ混晶（χ-0．24％～3．1％）发光复合机制的研究 |
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| 引用本文： | 吕毅军 高玉琳 林顺勇 郑健生 张勇 MascarenhasA 辛火平 杜武青.GaP1-χNχ混晶（χ-0．24％～3．1％）发光复合机制的研究[J].厦门大学学报(自然科学版),2004,43(4):491-495. |
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| 作者姓名： | 吕毅军 高玉琳 林顺勇 郑健生 张勇 MascarenhasA 辛火平 杜武青 |
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| 作者单位： | [1]厦门大学物理学系福建厦门361005 [2]美国可再生能源实验室美国 [3]美国加州弗吉尼亚大学电机工程系美国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60276002)和福建省自然科学基金(A0110007)资助 |
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| 摘 要： | 利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制．GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征，表现出明显的带隙降低的趋势．测量结果显示，在组分χ≥0．24％的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态，在低组分的混晶中，只存在一种激活能，仍然保持有束缚激子的特征；而在高组分样品(χ≥0．81％)中存在两种激活能．高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征．另一方面也表现出新的发光机制．
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| 关 键 词： | 发光 半导体 带隙弯曲 变温光致发光 GaP1-χNχ混晶 激活能 |
| 文章编号： | 0438-0479(2004)04-0491-05 |
| 修稿时间： | 2003年7月30日 |
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