Co~(60)γ辐照对半导体金-硅面垒探测器性能的影响

文献曾报导过高能带电粒子和中子对探测器性能的影响。并把性能的变化主要归结为体性质(如寿命,电阻率)的改变。本文则研究了对体性质影响较弱的r辐照对金-硅面垒探测器性能的影响。包括反向电流、噪声、分弁率、势垒电容和输出脉冲辐度的变化。并把它们相互联系起来进行了详细的分析和讨论。得出如下结论:r辐照后,前三个特性都变坏,并证明了这是由于表面漏电的增加所引起的;势垒电容变化不大,但略有减少;对目前所使用的硅材料,在低偏压时,γ辐照后,由于寿命的降低输出脉冲幅度也会降低。对这些变化都作了某些解释。