Si(111)面电子结构、表面能和功函数的第一性原理研究 |
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引用本文: | 刘其军,刘正堂,冯丽萍.Si(111)面电子结构、表面能和功函数的第一性原理研究[J].中山大学研究生学刊(自然科学与医学版),2009,30(2):71-77. |
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作者姓名: | 刘其军 刘正堂 冯丽萍 |
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作者单位: | 西北工业大学材料学院,西安710072 |
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摘 要: | 本文采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的平面波超软赝势法研究了体相Si和Si(111)面。计算得到的体相Si的晶格常数、体积模量和结合能较好地与其它文献结果吻合。在表面结构中,由于Si-3p态的影响导致键长和电荷密度的改变。键长在第一二层,二三层和三四层之间由2.338A变为2.286A,2.382A,2.352A,电荷密度由0.57946×10^3 electrons/nm^3变为0.60419×10^3,0.5143×10^3和0.55925×10^3 electrons/nm^3。计算得到的Si(111)的表面能和功函数为Si的应用提供了理论依据。
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关 键 词: | Si(111) 电子结构 表面能 功函数 第一性原理 |
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