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| 蒸镀Cu-In合金硒化制CuInSe2薄膜 | |
| 引用本文： | 李文漪,蔡珣,周之斌,茅及放,李刚,许实. 蒸镀Cu-In合金硒化制CuInSe2薄膜[J]. 上海交通大学学报, 2002, 36(5): 616-619 |
| 作者姓名： | 李文漪 蔡珣 周之斌 茅及放 李刚 许实 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学,教育部高温材料及高温测试开放实验室,上海,200030 2. 上海交通大学,太阳能研究所 3. 上海交通大学,分析测试中心 |
| 摘 要： | 利用两源蒸镀Cu-In合金膜，在半封闭石墨盒中硒化，制备了具有单一黄铜矿结构的CuInSe2(CIS）薄膜，实验研究了合金膜组分与薄膜结构、形貌的关系，探讨了不同硒化温度对CIS薄膜组织结构，成分和晶粒尺寸的影响，结果表明，单一结构有利于Cu-In合金膜的均匀和平整，硒化过程中，随着硒化温度的升高Cu的损失量增加，In的损失量相对减少，在300℃硒化时开始出现CIS黄铜矿结构，350℃硒化所得薄膜绝大多数为CIS结构，500℃制得单一结构的CIS薄膜。 |
| 关 键 词： | CuInSe2 真空蒸镀 硒化 光伏材料 |
| 文章编号： | 1006-2467(2002)05-0616-04 |
| 修稿时间： | 2001-09-17 |
Growth of CIS Thin Films by Selenization of Co-evaporated Cu-In Alloy |
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| LI Wen yi ,CAI Xun ,ZHOU Zhi bin ,MAO Ji fang ,LI Gang ,XU Shi. Growth of CIS Thin Films by Selenization of Co-evaporated Cu-In Alloy[J]. Journal of Shanghai Jiaotong University, 2002, 36(5): 616-619 | |
| Authors: | LI Wen yi CAI Xun ZHOU Zhi bin MAO Ji fang LI Gang XU Shi |
| Affiliation: | LI Wen yi 1,CAI Xun 1,ZHOU Zhi bin 2,MAO Ji fang 1,LI Gang 3,XU Shi 3 |
| Abstract: | |
| Keywords: | CuInSe 2 evaporation selenization photovoltaic materilals |
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