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| 基于离子型忆阻器的神经形态系统:从材料、器件到芯片 | |
| 作者姓名： | 温娟 黄鹤鸣 王哲 郭新 |
| 作者单位： | 华中科技大学材料科学与工程学院材料成形与模具技术国家重点实验室 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划(2018YFE0203802)； |
| 摘 要： | 现有的“冯·诺依曼”体系因其计算与存储分离的特点难以满足人工智能、物联网等新技术在能耗和速率方面的发展需求,而存算一体化的类脑计算方案有望突破这一瓶颈.忆阻器是一种新型微电子基础器件,其电阻可通过外界电场调节,而且忆阻器在结构与功能上接近于生物大脑中的突触和神经元,利用其构建的忆阻神经网络具有小尺寸、高速和低能耗等优良特性,有助于实现更接近生物大脑的人工智能.本文对忆阻器领域近年来的研究进展进行了全面的综述:在材料层面,根据阻变机理介绍了忆阻器的不同类型;在器件层面,结合当前忆阻器的应用背景论述了基于离子型忆阻器的性能要求及优化措施;在系统层面,讨论了离子型忆阻器作为忆阻突触、忆阻神经元的应用,并进一步概述了忆阻神经网络的网络结构、学习算法和硬件实现,最后对基于离子型忆阻器的神经形态芯片所面临的挑战和未来前景进行了总结与展望. |
| 关 键 词： | 忆阻器 忆阻突触 忆阻神经元 忆阻神经网络 神经形态芯片 |