| InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点 |
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| 引用本文： | 王本忠,刘式墉,赵方海,孙洪波,彭宇恒,李正廷. InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点[J]. 吉林大学学报(理学版), 1997, 0(2) |
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| 作者姓名： | 王本忠 刘式墉 赵方海 孙洪波 彭宇恒 李正廷 |
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| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子工程系!长春，130023，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子工程系!长春，130023，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子工程系!长春，130023，集成光电子学国家重点联合实验室 |
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| 基金项目： | 集成光电子学国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80meV
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| 关 键 词： | 砷化铟自组装量子点 低压金属有机化学气相沉积 磷化铟衬底 |
InAs Self-assembled Quantum Dots Grown on (001)InP by LP-MOCVD |
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| Wang Benzhong, Liu Shlyong, Zhao Fanghai, Sun Hongbo, Peng Yuheng, Li Zhengting. InAs Self-assembled Quantum Dots Grown on (001)InP by LP-MOCVD[J]. Journal of Jilin University: Sci Ed, 1997, 0(2) |
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| Authors: | Wang Benzhong Liu Shlyong Zhao Fanghai Sun Hongbo Peng Yuheng Li Zhengting |
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| Abstract: | The present paper covers the results of room temperature photoluminescence (PL) emis-sion from InAs self-assembled quantum dots (QDs) in the 1 300 nm~1700 nm spectral region. The low pressure MOCVD was used to grow lnAs QDs on an InP substrate. Preliminary characterization was performed using PL and scanning electron microscopy (SEM). PL peaks are centered at 1 603nm, the full width at half-maximum (FWHM) is about 80 meV. |
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| Keywords: | InAs self-assembled quantum dots LP-MOCVD InP substrate |
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