| 瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理 |
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| 引用本文： | 张通和,周生辉.瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理[J].北京师范大学学报(自然科学版),1990(1):13-18. |
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| 作者姓名： | 张通和 周生辉 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，中科院上海冶金所离子束开放实验室，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所 |
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| 摘 要： | 5×10~(16)cm~(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.
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| 关 键 词： | 离子注入 半导体 退火 PN结 漏电 |
A STUDY OF MECHANISM FOR INFLUENCE OF HIGH DENSITY DEFECTS MOVEMENT ON LEAKAGE CURRENT OF PN JUNCTION |
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| Zhang Tonghe Zhou Shenghui Wu Yuguang Luo Yan.A STUDY OF MECHANISM FOR INFLUENCE OF HIGH DENSITY DEFECTS MOVEMENT ON LEAKAGE CURRENT OF PN JUNCTION[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1990(1):13-18. |
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| Authors: | Zhang Tonghe Zhou Shenghui Wu Yuguang Luo Yan |
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| Institution: | Insttute of Low Energy Nuclear Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | As implantation into Si movement of high defect density mechanism of PN junction leakage current |
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