A1N薄膜的发光性能 |
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作者姓名: | 蔡明 邱万奇 |
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作者单位: | 华南理工大学材料科学与工程学院,广东广州510640 |
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摘 要: | 本文简要介绍了A1N的性质并总结A1N薄膜作为发光材料的研究现状,以及探讨A1N薄膜的不同掺杂元素的发光机理,最后就A1N薄膜作为优异的半导体发光材料的应用前景做了展望。半导体光致发光是电子吸引光子的能量跃迁至高能级,再由高能级返回到低能级时发光的过程称为光致发光过程,光源可为紫外线、红外线、可见光、X射线等。
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关 键 词: | A1N掺杂 电致发光 光致发光 |
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