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纳米软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应
作者姓名:库万军()  葛副鼎()  严格()  王新颜()  朱静()
作者单位:[1]冶金部钢铁研究总院 [2]清华大学材料科学与工程系
摘    要:自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。

关 键 词:巨磁致阻抗效应 软磁合金 薄带 纳米晶合金
收稿时间:1996-05-15
修稿时间:1996-09-26
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