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新型二元半导体CdSe的第一性原理研究
引用本文:闫岩,田惠博,王芳旭.新型二元半导体CdSe的第一性原理研究[J].吉林师范大学学报(自然科学版),2018(3).
作者姓名:闫岩  田惠博  王芳旭
作者单位:长春大学理学院
摘    要:采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对CdSe在44~80 GPa压力区间提出的新高压相的结构、电子能带、局域电荷密度、晶格动力学和力学稳定性进行了研究.结果表明:CdSe的Pnma新相是动力学稳定的,达到80 GPa;压力致使Pnma相能隙发生闭合;根据力学稳定性判据得出Pnma相是力学稳定的.

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