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| 高性能Pd栅氢敏MOS管的研制 | |
| 引用本文： | 康笑然,王家楫.高性能Pd栅氢敏MOS管的研制[J].甘肃科学学报,1992,4(2):32-36. |
| 作者姓名： | 康笑然 王家楫 |
| 作者单位： | 甘肃省科学院传感技术研究所，复旦大学材料系，上海无线电十四厂 兰州 730000，上海 200433，上海 200042 |
| 摘 要： | 采用Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si复合栅MIS结构,通过对设计及关键工艺的改进,研制了灵敏度高(120℃,1000ppmH_2中,阈值电压的改变可达520mV),响应、恢复时间短(120℃,1000ppmH_2,响应、恢复时间分别为10秒和25秒)的Pd栅氢敏管。比较了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构和Pd/SiO_2/Si结构对恢复时间的影响,解释了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构可有效缩短恢复时间的原因。 |
| 关 键 词： | 半导体 传感器 气敏 氢 MOS管 钯栅 |
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