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铝箔电化学侵蚀隧道孔生长速度研究
引用本文:肖仁贵,闫康平.铝箔电化学侵蚀隧道孔生长速度研究[J].贵州工业大学学报(自然科学版),2008,37(5).
作者姓名:肖仁贵  闫康平
作者单位:1. 贵州大学化学工程学院,贵州贵阳,550003
2. 四川大学化工学院,四川成都,610065
基金项目:贵州省科学技术基金项目(2008,2207); 四川省科技攻关项目(2006,Z08-001-4)
摘    要:在提出铝箔电化学脉冲侵蚀模型的基础上,进一步探讨铝箔电蚀隧道孔生长速度影响因素,推导出铝箔电蚀隧道孔生长速度公式:u=0.4 iave(μm.s^-1)(iave:单个脉冲侵蚀过程中隧道孔顶端面平均电流密度A.cm^-2).

关 键 词:铝箔  侵蚀  电化学  隧道孔  动力学过程

Research of Tunnel Growth in Aluminum Foil for Capacitor
XIAO Ren-gui,YAN Kang-ping.Research of Tunnel Growth in Aluminum Foil for Capacitor[J].Journal of Guizhou University of Technology(Natural Science Edition),2008,37(5).
Authors:XIAO Ren-gui  YAN Kang-ping
Abstract:On the basis of electrochemical etching model in aluminum foil for capacitor,the factor about tunnel growth velocity was discussed,and the calculation formula(u=0.4iave) was deduced.
Keywords:aluminum foil  etching  electrochemistry  tunnel  kinetics  
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