| 氢等离子体处理对GaAs/AlGaAs超晶格材料性能的影响 |
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| 引用本文： | 王卿璞,张德恒,薛忠营,程兴奎.氢等离子体处理对GaAs/AlGaAs超晶格材料性能的影响[J].山东大学学报(理学版),2002,37(3):233-235. |
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| 作者姓名： | 王卿璞 张德恒 薛忠营 程兴奎 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,济南,250100 |
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| 摘 要： | 在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中，由于深能级杂质形成的非辐射复杂合中心的存在，使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度，样品经过氢等离子体处理后，其光电性质明显改善。
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| 关 键 词： | 等离子体 超晶格材料 光致发光 |
| 文章编号： | 0559-7234(2002)03-0233-03 |
| 修稿时间： | 2001年12月20 |
INFLUENCE OF H+ PLASMA ON THE PROPERTIES OF GaAs/AlGaAs SUPER-LATTICES GROWN BY MOCVD |
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| WANG Qing pu,ZHANG De heng,XUE Zhong ying & CHENG Xing kui.INFLUENCE OF H+ PLASMA ON THE PROPERTIES OF GaAs/AlGaAs SUPER-LATTICES GROWN BY MOCVD[J].Journal of Shandong University,2002,37(3):233-235. |
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| Authors: | WANG Qing pu ZHANG De heng XUE Zhong ying & CHENG Xing kui |
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| Abstract: | In the GaAs/AlGaAs MQW super lattices grown by MOCVD, the existence of deep energy level of produced by non radiation recombination centers makes samples have large dark current and weak photoluminescence. The electrical and optical properties can be obviously improved for the samples after H + treatment. |
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| Keywords: | plasma super lattices material photoluminescence |
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