| 热载流子退化对集成电路可靠性的影响及应对 |
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| 引用本文： | 刘峰,梁勇强. 热载流子退化对集成电路可靠性的影响及应对[J]. 玉林师范学院学报, 2004, 25(3): 39-42 |
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| 作者姓名： | 刘峰 梁勇强 |
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| 作者单位： | 1. 玉林师范学院,职业技术学院,工程师,讲师,广西,玉林,537000
2. 玉林师范学院,职业技术学院,工程师,广西,玉林,537000 |
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| 摘 要： | 分析了热载流子退化现象对集成电路可靠性的影响，研究了改善热载流子退化的计算机工艺模拟技术、按比例缩小的准恒定电压理论、LDD结构MOS晶体管。
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| 关 键 词： | 热载流子 可靠性 LDD结构 |
| 文章编号： | 1004-4671(2004)03-0039-04 |
| 修稿时间： | 2004-03-18 |
The Influence of Hot Carrier''''s Retrogradation on IC''''s Reliability and the Countermeasures |
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| LIU Feng,LIANG Yong-qiang. The Influence of Hot Carrier''''s Retrogradation on IC''''s Reliability and the Countermeasures[J]. Journal of Yulin Teachers College, 2004, 25(3): 39-42 |
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| Authors: | LIU Feng LIANG Yong-qiang |
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| Abstract: | This paper analyses the influence of hot carrier's retrogradation on integrated circuit's reliability, and studies computer simulator technology,quasi-constant voltage theory, MOS transistor of LDD structure for the prevention of hot carrier retrogradation. |
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| Keywords: | hot carrier reliability LDD structure |
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