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热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响
引用本文:曾亦可,胡勇,肖腊连,李秀峰. 热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响[J]. 华中科技大学学报(自然科学版), 2005, 33(6): 92-94
作者姓名:曾亦可  胡勇  肖腊连  李秀峰
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
基金项目:国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201028),国家高技术发展研究计划新材料领域资助项目(2002AA325080),先进制造与自动化技术领域资助项目(2003AA404150).
摘    要:以Pb(OOCCH3)2·3H2O,Sc(OOCCH3)3·xH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,用SolGel方法在Pt/Ti/SO2/Si(100)基片上成功地制备出厚度达1.5μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(220)主晶向生长的PST薄膜分别在10~20min、650~800℃范围内进行热处理,结果表明:热处理温度在750℃时,PST薄膜转变为较为完整的ABO3型钙钛矿晶相结构,更高的温度将提高晶粒在(220)方向的取向度.实验发现,最佳热处理条件应为750℃×15min,该条件下制备的PST铁电薄膜呈蓝黑色,表面光亮.

关 键 词:铁电薄膜  溶胶-凝胶  热释电性
文章编号:1671-4512(2005)06-0092-03
修稿时间:2004-09-01

Effect of heat treat temperature on the microstructure of PbSc0.5Ta0.5O3 ferroelectric thin films
Zeng Yike,Hu Yong,Xao Lalian,Li Xiufeng. Effect of heat treat temperature on the microstructure of PbSc0.5Ta0.5O3 ferroelectric thin films[J]. JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE, 2005, 33(6): 92-94
Authors:Zeng Yike  Hu Yong  Xao Lalian  Li Xiufeng
Affiliation:Zeng Yike Hu Yong Xao Lalian Li Xiufeng Zeng Yike Assoc. Prof., Dept. of Electronics Sci. & Tech.,Huazhong Univ. of Sci. & Tech.,Wuhan 430074,China.
Abstract:
Keywords:ferroelectric thin films  Sol-Gel  pyroelectric properties
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