| 30mT恒定磁场可延长神经细胞的存活时间 |
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| 引用本文： | 李刚,程立君,林凌.30mT恒定磁场可延长神经细胞的存活时间[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),2010(7). |
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| 作者姓名： | 李刚 程立君 林凌 |
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| 作者单位： | 天津大学天津市生物医学检测技术与仪器重点实验室,天津,300072 |
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| 基金项目： | 天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目 |
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| 摘 要： | 为了研究中等强度恒定磁场对神经细胞存活能力的影响,采用急性分离的小鼠额叶皮层锥体神经细胞暴露于30.mT恒定磁场中,应用全细胞膜片钳技术研究神经元钠离子通道电流的记录时间(细胞形成全细胞模式后的存活时间,反映细胞存活能力).实验发现,30.mT恒定磁场作用中的细胞钠通道电流的平均记录时间较未被磁场作用的细胞钠电流的平均记录时间显著增加,分别为33.77.min和15.13.min.在磁场作用中的部分神经细胞即使在全细胞模式形成60.min后仍然有20%的神经细胞可以记录到很好的钠通道电流曲线,而对照组神经细胞在形成全细胞模式后超过40.min细胞就已经失去活性.结果表明,30.mT恒定磁场可一定程度上延长皮层神经细胞钠离子通道电流的存活时间,增强了神经细胞在恶劣环境下的存活能力.
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| 关 键 词： | 神经元存活能力 恒定磁场 钠离子通道 膜片钳技术 |
Prolongation Effect of 30 mT Static Magnetic Field on Viable Duration of Neurons |
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| LI Gang,CHENG Li-jun,LIN Ling.Prolongation Effect of 30 mT Static Magnetic Field on Viable Duration of Neurons[J].Journal of Tianjin University(Science and Technology),2010(7). |
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| Authors: | LI Gang CHENG Li-jun LIN Ling |
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