ZnS:R_E~(3 )薄膜交流场致发光特性的研究

为研究ZnS中稀土杂质的光学行为,以单质Er掺杂制成ZnS:Er~(3 )薄膜交流场致发光器件。对其发射光谱、亮度—电压特性及极化效应等进行观测。结果表明:Er~(3 )虽处在不同的晶体环境中,但所得光谱位置却基本一致,只是相对峰值不同。亮度—电压logB～1/V~(1/2)曲线表明Er~(3 )中心的激发为电子碰撞激发,根根亮度与电压的关系可认为器件中存在非单一深度的陷阱。器件在单向脉冲作用下呈现亮度递减的现象,可用极化效应解释。