| Pb／PbSe Schottky势垒结研究 |
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| 引用本文： | 方龙森.Pb／PbSe Schottky势垒结研究[J].上海交通大学学报,1991,25(1):81-86. |
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| 作者姓名： | 方龙森 |
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| 作者单位： | 上海科技大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文对形成Ⅳ-Ⅵ族PbSe 金属-半导体肖特基势垒结之工艺和为了提高该器件的R_0A 值,将氯化物作为Pb/PbSe 界面的机理作了研究.本文还研究了具有PbCl_x 界面的PbSe 肖特基势垒结的特性模型化,同时给出了R_0,n,R_(SH),和Φ_B 等模型参数的提取方法.测量表明具有界面层的Pb/PbSe势垒结显示了良好的电学性能.
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| 关 键 词： | 界面层 肖特基势垒结 Pb PbSe |
A Studv of Pb/PbSe Schottkv Barrier Junction |
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| Fang Longsen.A Studv of Pb/PbSe Schottkv Barrier Junction[J].Journal of Shanghai Jiaotong University,1991,25(1):81-86. |
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| Authors: | Fang Longsen |
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| Institution: | Fang Longsen |
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| Keywords: | Schottky barrier modeling PbSe interface layer |
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