低通量慢中子在YBCO系列高T_c超导体里的辐照效应 |
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引用本文: | 金继荣.低通量慢中子在YBCO系列高T_c超导体里的辐照效应[J].科学通报,1992,37(7):595-595. |
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作者姓名: | 金继荣 |
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作者单位: | 南京大学物理系固体微结构实验室,南京大学物理系固体微结构实验室,南京大学物理系固体微结构实验室,南京大学物理系固体微结构实验室,南京大学物理系固体微结构实验室,南京大学物理系固体微结构实验室 南京 210008,南京 210008,南京 210008,南京 210008,南京 210008,南京 210008 |
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基金项目: | 国家超导联合研究开发中心资助 |
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摘 要: | 在非理想第Ⅱ类超导体里,临界电流密度J_c因结构缺陷的变化而变化,而且对缺陷的浓度很敏感。中子辐照是一种可控的在样品内增加缺陷浓度的有效方法。不少实验已经证明,适量的中子辐照可以较大幅度地提高YBa_2Cu_3O_(7-8)(YBCO)系列高T_c超导体(HTSC)的J_c和临界温度T_c。此外,中子辐照也是探索超导电性机理的途径之一。理论和应用上
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关 键 词: | 中子 高Tc 超导体 辐照 YBaCuO |
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