红外光谱法检测LPEIn1—xGalxAsyP1—y晶体质量优劣的研究 |
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引用本文: | 刘益春,孙跃东.红外光谱法检测LPEIn1—xGalxAsyP1—y晶体质量优劣的研究[J].东北师大学报(自然科学版),1995(3):28-30. |
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作者姓名: | 刘益春 孙跃东 |
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摘 要: | 通过红外光谱检测LPEInGaAsP材料带边发光强度和光谱线型的空间分布检测材料带边辐射复合效率和均匀性,对引起光致发光强度衰减及半谱半宽度起伏的物理原因进行了分析,并用X-射线双晶衍射的测量结果进行了对比,二者具有很好的一致性,实验结果证明,光致发光方法是判断LPE晶体质量简单而有效的方法。
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关 键 词: | 红外光谱 LPE InGaAsP 半导体 晶体质量 |
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