| 以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应 |
| |
| 作者姓名： | 龙毅() 陈艳平() 李丽辉() 李春和() 万发荣() 柳祝红() 吴光恒() |
| |
| 作者单位： | 龙毅（北京科技大学材料学院,北京,100083）;陈艳平（北京科技大学材料学院,北京,100083）;李丽辉（北京科技大学材料学院,北京,100083）;李春和（北京科技大学材料学院,北京,100083）;万发荣（北京科技大学材料学院,北京,100083）;柳祝红（中国科学院物理研究所磁学实验室,北京,100080）;吴光恒（中国科学院物理研究所磁学实验室,北京,100080） |
| |
| 基金项目： | 本工作为国家自然科学基金(批准号: 50071006)和国家"八六三"计划基金(批准号: 2002AA324101)资助项目. |
| |
| 摘 要： | 研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁性相变性质和磁热效应. 蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd. 对Gd5Si1.85Ge2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd5Si1.85Ge2.15合金在253 K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg·K.
|
| 关 键 词： | 磁热效应 一级磁性相变 磁制冷 |
| 收稿时间： | 2002-12-18 |
| 修稿时间： | 2002-12-18 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《科学通报》下载全文 |
|
