| 一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源 |
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| 引用本文： | 陈迪平,吴 旭,黄嵩人,季惠才,王镇道. 一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源[J]. 湖南大学学报(自然科学版), 2012, 39(8): 48-51 |
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| 作者姓名： | 陈迪平 吴 旭 黄嵩人 季惠才 王镇道 |
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| 作者单位： | 湖南大学物理与微电子科学学院;中国电子科技集团公司第58研究所 |
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| 基金项目： | 湖南省自然科学基金资助项目(11JJ2034) |
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| 摘 要： | 为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达到-130dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中.
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| 关 键 词： | 带隙基准电压源 低压 正温度系数 负温度系数 电源抑制比 |
A New High Precision Low Voltage CMOS Bandgap Reference |
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| CHEN Di-ping,WU Xu,HUANG Song-ren,JI Hui-cai,WANG Zhen-dao. A New High Precision Low Voltage CMOS Bandgap Reference[J]. Journal of Hunan University(Naturnal Science), 2012, 39(8): 48-51 |
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| Authors: | CHEN Di-ping WU Xu HUANG Song-ren JI Hui-cai WANG Zhen-dao |
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| Affiliation: | 1(1.College of Physics and Microelectronics Science,Hunan Univ,Changsha,Hunan 410082,China; 2.China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi,Jiangsu 214035,China) |
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| Abstract: | The offset voltage of the OP directly influences the precision of the output voltage reference.To cancel the offset voltage,this paper adopts NPN to produce ΔVbe and designs a new feedback loop structure to produce a low voltage bandgap reference.The circuit is designed in SMIC 0.18 μm CMOS process.The temperature coefficient of this low voltage bandgap reference is 8 ppm/℃.The PSRR is-130 dB and the design output voltage is 0.5 V.The circuit has been successfully applied at a high speed,16 bit ADC. |
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| Keywords: | bandgap voltage reference low voltage positive temperature coefficient negative temperature coefficient power supply rejection ratio |
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