| 非晶硫系玻璃半导体Ge(S, Se)2薄膜的光致效应 |
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| 引用本文： | 刘启明,干福熹.非晶硫系玻璃半导体Ge(S, Se)2薄膜的光致效应[J].科学通报,2002,47(8):569-571. |
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| 作者姓名： | 刘启明 干福熹 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800.E-mail:micklqm@21cn.com |
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| 摘 要： | 报道了GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜经过光照后，薄膜的光学透射边均出现绿移，这种绿多在预先退火后的薄膜中是可逆的，即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置。通过透射电子显微镜测试，在光照后的GeS2和GeSe2薄膜中观察到光致结晶现象。利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料。
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| 关 键 词： | 光致效应 GeS2 GeSe2 非晶硫系半导体薄膜 光致漂白 光致结晶 光存储材料 绿移 |
| 收稿时间： | 2002-01-04 |
| 修稿时间： | 2002年1月4日 |
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