| 硫化时间对FeS2薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 吴新坤,钟南保,程树英.硫化时间对FeS2薄膜结构和性能的影响[J].福州大学学报(自然科学版),2008,36(3):374-377. |
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| 作者姓名： | 吴新坤 钟南保 程树英 |
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| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院,福建福州,350002 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金
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福建省科技三项费资助项目
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福州大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 在硫化温度为653 K和硫化时间分别在3、6和12 h的条件下,用硫化铁膜法制备FeS2薄膜.通过对不同条件下制备的薄膜成分、结构和光电性能研究表明:当硫化时间大于6 h时,薄膜的成分接近理想化学配比,直接光学能带间隙大约为1.15~1.17 eV,电阻率约为1.3Ω.cm.
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| 关 键 词： | FeS2薄膜 硫化时间 制备 |
Influence of sulfuration time on the structure and properties of FeS2 films |
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| WU Xin-kun,ZHONG Nan-bao,CHENG Shu-ying.Influence of sulfuration time on the structure and properties of FeS2 films[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2008,36(3):374-377. |
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| Authors: | WU Xin-kun ZHONG Nan-bao CHENG Shu-ying |
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| Institution: | (College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou,Fujian 350002,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | FeS2 films sulfurization time preparation |
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