| 退火温度对钽基RuO2·nH2O电沉积薄膜电容性能的影响 |
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| 引用本文： | 甘卫平,黎小辉,欧定斌,覃政辉.退火温度对钽基RuO2·nH2O电沉积薄膜电容性能的影响[J].中南大学学报(自然科学版),2006,37(4):660-664. |
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| 作者姓名： | 甘卫平 黎小辉 欧定斌 覃政辉 |
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| 作者单位： | 中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083 |
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| 摘 要： | 以RuCl3·xH2O的水溶液为电沉积溶液, 通过恒流电沉积法在钽箔上电沉积一层RuO2·nH2O薄膜, 研究退火温度对RuO2·nH2O薄膜的电容性能的影响;采用CHI660B电化学测试仪和循环伏安法对薄膜的电容性能进行测试;分别采用扫描电子显微电镜、能谱仪及X射线衍射仪对薄膜的形貌和微孔形态、薄膜元素及薄膜的物相进行分析. 结果表明, 未经退火处理的RuO2·nH2O薄膜的电容性能不稳定, 在循环伏安法测试中电容量随循环次数的增加而降低;将RuO2·nH2O薄膜分别在不同温度(100, 150, 200, 250和300 ℃)下进行的2 h的退火处理, 经退火处理后的RuO2·nH2O薄膜的电容性能经过60次的循环后趋于稳定, 其中, 经过100 ℃退火处理的RuO2·nH2O薄膜的比电容最大, 其比电容为0.083 8 F/cm2.
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| 关 键 词： | 电沉积 RuO2·nH2O薄膜 电容 退火温度 |
| 文章编号： | 1672-7207(2006)04-0660-05 |
| 修稿时间： | 2005年12月29 |
Effect of annealing temperature on capacitance of ruthenium oxide films deposited on tantalum substrate |
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| GAN Wei-ping,LI Xiao-hui,OU Ding-bin,QIN Zheng-hui.Effect of annealing temperature on capacitance of ruthenium oxide films deposited on tantalum substrate[J].Journal of Central South University:Science and Technology,2006,37(4):660-664. |
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| Authors: | GAN Wei-ping LI Xiao-hui OU Ding-bin QIN Zheng-hui |
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