低温MOCVD法制备铜纳米棒 |
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作者姓名: | 张颖 林粱旭 阎子峰 胡喜军 |
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作者单位: | 石油大学重质油加工国家重点实验室,东营,257061;香港科技大学化学工程系,九龙;香港科技大学化学工程系,九龙;石油大学重质油加工国家重点实验室,东营,257061 |
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基金项目: | 致谢 感谢香港科技大学MCPF中心Chueng T K博士在透射电子显微镜技术上的大力帮助,及Chueng C 女士在XRD测试方面的支持,本工作受香港研究补助金委员会(编号:CA04/05.SC02)资助. |
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摘 要: | 选用乙酰丙酮铜Cu(acac)2为前驱物, 氢气为反应气, 采用低温有机金属化学气相沉积法(MOCVD)在介孔基质SBA-15中合成出了铜纳米棒. 该反应过程中, 氢气起了重要作用, 一方面氢将金属有机物的配位还原, 从而使其更容易扩散进入SBA-15孔内部, 同时氢也将二价铜离子还原为金属铜, 从而得到铜棒. 这种铜纳米结构由于具有独特的光学、磁学及电学特性, 因而在半导体研究领域中有潜在的重要应用价值. 另外, 研究还发现基质SBA-15的表面特性对于合成该铜纳米结构有重要影响, 将一层碳覆盖于基质表面后, SBA-15由亲水表面变为憎水表面, 更加有利于有机铜的吸附和铜离子在其内表面的沉积. 该合成方法简单, 反应只需较低的反应温度(400℃)和真空度(2 kPa), 实现了温和条件下制备铜纳米棒状材料.
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关 键 词: | 铜纳米棒 化学气相沉积法 低温有机金属分解法 |
收稿时间: | 2006-03-16 |
修稿时间: | 2006-03-162006-07-11 |
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