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X射线衍射V2O5在介孔二氧化硅上的分散研究
引用本文:侯秀红.X射线衍射V2O5在介孔二氧化硅上的分散研究[J].佛山科学技术学院学报(自然科学版),2007,25(6):11-13.
作者姓名:侯秀红
作者单位:上海化工研究院,新技术开发室,上海,200062
基金项目:上海市科委纳米专项基金(0112Nm032)
摘    要:采用X射线衍射技术(XRD)考察了金属氧化物V2O5在介孔二氧化硅分子筛上的分散,研究结果表明应用浸渍法将V2O5浸渍于介孔二氧化硅分子筛中,在低于V2O5熔点的适当温度下焙烧后,与未浸渍V2O5样品相比,晶胞参数a值明显增大,说明钒离子掺入了介孔二氧化硅分子筛的骨架中;在一定范围内随着V2O5加入量的增加其在介孔二氧化硅的表面的分散量也在增加,而V2O5残余晶相量远远低于加入的量,说明V2O5掺入介孔二氧化硅分子筛骨架的同时可在介孔二氧化硅的表面成单层分散。

关 键 词:介孔二氧化硅  V2O5  浸渍法  单层分散  掺入骨架
文章编号:1008-0171(2007)06-0010-03
收稿时间:2007-09-22
修稿时间:2007年9月22日

Study of dispersion of V2O5 onto hexagonal mesoporous silicas by technology of impregnation method X-ray diffraction
HOU Xiu-hong.Study of dispersion of V2O5 onto hexagonal mesoporous silicas by technology of impregnation method X-ray diffraction[J].Journal of Foshan University(Natural Science Edition),2007,25(6):11-13.
Authors:HOU Xiu-hong
Abstract:
Keywords:mesoporous silicas  V2O5  impregnation method  monolayer  incorporation
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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