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基于双折射基片的微纳光纤起偏器研究
引用本文:孔凡磊,齐继伟,孙骞.基于双折射基片的微纳光纤起偏器研究[J].南开大学学报,2013(1):12-16.
作者姓名:孔凡磊  齐继伟  孙骞
作者单位:南开大学泰达应用物理学院
摘    要:给出了一种以双折射晶体为衬底,实现高消光比的微纳光纤起偏器的方法.利用双折射晶体为衬底,研究了在不同折射率和半径的微纳光纤中传播的光波的偏振特性.当采取的微纳光纤的折射率在双折射晶体的寻常光折射率和非寻常光主折射率之间,且光纤和晶体光轴夹角足够大时,可以实现在微纳光纤中起偏.改变微纳光纤半径以及光纤和双折射晶体光轴之间的夹角可以对消光比进行调控,半径越小,消光比越大;角度越大,消光比越大.对于半径为2.1μm微纳光纤,最大的消光比为22.74dB.

关 键 词:微纳光纤  偏振  全内反射  消光比
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