| GaN材料中间带的电学性质分析 |
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| 引用本文： | 董少光,范广涵.GaN材料中间带的电学性质分析[J].华南师范大学学报(自然科学版),2008,0(2):62-66. |
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| 作者姓名： | 董少光 范广涵 |
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| 作者单位： | 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631;佛山科学技术学院光电子与物理学系,广东佛山,528000
2. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631 |
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| 基金项目： | 广东省LED工业研究开发基地资助项目 |
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| 摘 要： | 分析了掺Cr的GaN半导体材料作为太阳能电池材料增加转换效率的可行性. 采用局部旋转密度近似的计算方法研究GaN材料中间带的电学性质,用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子,其原子质量分数为1.56%. 从电学性质的计算可以发现,这种材料具有对某个旋转态成分形成部分填充的独特性质,可用孤立和部分填充的中间带表征,是高效太阳能电池的候选材料. 对中间带的轨道成分进行分析,表明中间带主要是由跃迁金属的t群轨道构成. 吸收系数的理论计算结果得出,由于VB-IB和IB-CB之间对少数旋转态成分的跃迁而产生了次带吸收. 半导体的次带吸收会导致太阳能转换效率的增加.
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| 关 键 词： | 中间带 GaN 电学性质 半导体材料 |
| 文章编号： | 1000-5463(2008)02-0062-05 |
| 修稿时间： | 2007年10月10 |
ELECTRONIC PROPERTIES ANALYSIS OF INTERMEDIATE BAND FOR GaN MATERIALS |
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| DONG Shao-guang,FAN Guang-han.ELECTRONIC PROPERTIES ANALYSIS OF INTERMEDIATE BAND FOR GaN MATERIALS[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2008,0(2):62-66. |
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| Authors: | DONG Shao-guang FAN Guang-han |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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