掺Er的In_(1-x)Ga_xP的光致发光性质

金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层。低温（１０Ｋ）下，研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数，其中合金成分为ｘ＝０—０．９８，发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一个强光致发光峰，与合金成分无关，在２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ３＋离子的光致发光（ＰＬ）特征峰，发光强度明显降低。