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| 基于化学气相沉积法铜基大面积单晶双层石墨烯薄膜的快速生长 | |
| 引用本文： | 张津铭,牟海川,谢海芬.基于化学气相沉积法铜基大面积单晶双层石墨烯薄膜的快速生长[J].华东理工大学学报(自然科学版),2021,47(1):123-128. |
| 作者姓名： | 张津铭 牟海川 谢海芬 |
| 作者单位： | 华东理工大学理学院物理系,上海 200237;华东理工大学理学院物理系,上海 200237;华东理工大学理学院物理系,上海 200237 |
| 摘 要： | 通过分段控制甲烷与氢气的流量比以及增加氧气的供应,使用低压化学气相沉积设备(LPCVD)、在40 min的生长时间内、在铜箔上生长出连续的高质量的单晶石墨烯薄膜.研究表明,双氧钝化的使用和调整甲烷与氢气的流量比可以达到石墨烯的最佳成核和生长速率,使得石墨烯可以在短时间内生长为连续的单晶薄膜;石墨烯基场效应晶体管(FET... |
| 关 键 词： | 石墨烯 化学气相沉积 双氧钝化 |
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