关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性

一、引言 实验表明,在大约50K以下的温度范围,A15化合物Nb_3Sn,Nb_3Al和Nb_3Ge的正常态电阻率可以相当好地用ρ=ρ0 αT~2的规律描写;V_3Si的电阻率似乎比T~2增加得略快一些;Nb_3Sb的电阻率随T的增加比较快,不能用简单的方幂表达,但在15—25K之间接近T~(3.6);还有一些A15化合物,如Cr_3Si,低温电阻率显示了更快的变化。这些现象的解释目前还是一个有争议的问题。