| 用光伏法及红外吸收法分析硅单晶质量 |
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| 引用本文： | 吴建国,刘士毅.用光伏法及红外吸收法分析硅单晶质量[J].华侨大学学报(自然科学版),1992,13(3):336-342. |
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| 作者姓名： | 吴建国 刘士毅 |
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| 作者单位： | 华侨大学，厦门大学 |
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| 摘 要： | 本文用光伏法测定样品的少子扩散长度,论证放宽直线拟合的T.S.Moss条件,用红外吸收法测定样品的氧、碳含量并样品的品质,实验发现,硅单晶的红外吸收光谱(a-λ~(-1))的基线愈高,则其中的少子扩散长度愈短;反之亦然,还探讨了基线的物理性质。
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| 关 键 词： | 硅单晶 光伏 红外吸收 氧 含量 碳 |
Quality Analysis of Silicon Monocrystal by IR Absorption Method and Photovoltaic Method |
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| Wu Jianguo,Liu Shiyi Huaqiao University Xiamen University.Quality Analysis of Silicon Monocrystal by IR Absorption Method and Photovoltaic Method[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),1992,13(3):336-342. |
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| Authors: | Wu Jianguo Liu Shiyi Huaqiao University Xiamen University |
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| Institution: | Wu Jianguo;Liu Shiyi Huaqiao University Xiamen University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon monocrystal photovoltaic carbon content baseline |
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