| 中频磁控溅射制备a-C:H薄膜中沉积功率的影响 |
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| 引用本文： | 姜辉,邹宇. 中频磁控溅射制备a-C:H薄膜中沉积功率的影响[J]. 太原师范学院学报(自然科学版), 2009, 8(1) |
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| 作者姓名： | 姜辉 邹宇 |
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| 作者单位： | 1. 江苏盐城师范学院,物理科学与电子技术学院,江苏,盐城,224002
2. 四川大学,原子核科学技术研究所,四川,成都,610064 |
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| 摘 要： | 采用中频反应磁控溅射方法,在不同溅射沉积功率下,在单晶Si基片上沉积了a-C:H薄膜.研究了不同沉积功率对a-C:H薄膜的形貌、硬度、弹性的影响,并用Raman和FITR分析了引起a-C:H薄膜形貌和力学性能变化的原因.结果表明,沉积功率对薄膜的形貌、硬度和弹性都有很大的影响,在功率为140 W时沉积的a-C:H薄膜表面致密,具有最大的硬度和弹性模量.
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| 关 键 词： | 中频反应磁控溅射 类金刚石薄膜 硬度 弹性模量 |
Influence of Deposition Power of the Diamond-like Carbon Films Prepared by Medium Frequency Reactive Deposition |
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| liang Hui,Zou Yu. Influence of Deposition Power of the Diamond-like Carbon Films Prepared by Medium Frequency Reactive Deposition[J]. Journal of Taiyuan Normal University:Natural Science Edition, 2009, 8(1) |
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| Authors: | liang Hui Zou Yu |
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