| SiC埋层的红外吸收特性研究 |
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| 引用本文： | 吴春瑜,李绅政.SiC埋层的红外吸收特性研究[J].辽宁大学学报(自然科学版),1999,26(4):349-351. |
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| 作者姓名： | 吴春瑜 李绅政 |
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| 作者单位： | [1]辽宁大学电子系 [2]中国人民解放军38611部队 |
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| 摘 要： | 在较低衬底温度下，用离子合成技术对单晶Ｓｉ衬底进行高能Ｃ＋离子注入，可获得含有ＳｉＣ的埋层，经高温退火形β－ＳｉＣ颗粒沉淀。通过傅里叶经外吸收谱对其研究有明埋层中ａ－Ｓｉ和β－Ｓｉ共存，且有一含量最高区。
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| 关 键 词： | 碳化硅 离子注入 红外吸收光谱 半导体 FTIR |
Study of Infrared Absorption Properties of Buried SiC Layers |
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| WU Chunyu,WANG Zhongwen,GAO Song.Study of Infrared Absorption Properties of Buried SiC Layers[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),1999,26(4):349-351. |
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| Authors: | WU Chunyu WANG Zhongwen GAO Song |
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| Institution: | WU Chunyu WANG Zhongwen GAO Song Department of Electronic Science and Engineering,Liaoning University LI Shenzheng 38611 Department,People's Liberation Army of China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC ion implatation FTIR |
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