| 单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质 |
| |
| 引用本文： | 孟奕峰.单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质[J].四川大学学报(自然科学版),2010,47(2). |
| |
| 作者姓名： | 孟奕峰 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划 |
| |
| 摘 要： | 近年来，半导体超晶格材料在太阳电池方面的应用，越来越受到人们的广泛重视。本实验利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜。通过XRD和AFM的观察，对其结构进行了研究，并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件。此外，对300℃和400℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比，计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82eV、3.81eV，与理论值一致。这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池。
|
| 关 键 词： | 射频磁控溅射法、ZnS薄膜、单带差超晶格、ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池 |
| 修稿时间： | 4/2/2009 12:00:00 AM |
Preparation and Performance of ZnS thin films used in single offset superlattice |
| |
| Meng Yi-Feng.Preparation and Performance of ZnS thin films used in single offset superlattice[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2010,47(2). |
| |
| Authors: | Meng Yi-Feng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《四川大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《四川大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
