Mg和Al共掺杂对CaCu3Ti4O12介电性能的影响 |
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作者姓名: | 李秋实 李新 丁茹 琚泽良 刘英洁 王彪 王森 刘高斌 |
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作者单位: | 1. 辽宁科技大学材料与冶金学院;2. 辽宁科技大学理学院 |
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摘 要: | CaCu3Ti4O12(CCTO)具有较大的介电常数,在储能领域具有巨大的应用潜力,但高介电损耗却限制了其应用。本文采用固态法共掺杂Mg和Al元素,研究Al掺杂量对CCTO的介电常数、介电损耗和阻抗等物理性能的影响。实验结果表明,Mg和Al元素共掺杂,CCTO的晶格常数减小,衍射峰位向高角度偏移;随Al含量的增加,CCTO的介电常数明显减小,而介电损耗随频率、温度的提高先减小后增大,阻抗显著增大;在中低频、低温时,掺杂可有效降低介电损耗。
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关 键 词: | 钛酸铜钙 介电常数 介电损耗 共掺杂 |
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