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| Mg和Al共掺杂对CaCu3Ti4O12介电性能的影响 | |
| 引用本文： | 李秋实,李新,丁茹,琚泽良,刘英洁,王彪,王森,刘高斌.Mg和Al共掺杂对CaCu3Ti4O12介电性能的影响[J].辽宁科技大学学报,2023(1):1-5. |
| 作者姓名： | 李秋实 李新 丁茹 琚泽良 刘英洁 王彪 王森 刘高斌 |
| 作者单位： | 1. 辽宁科技大学材料与冶金学院;2. 辽宁科技大学理学院 |
| 摘 要： | CaCu3Ti4O12(CCTO)具有较大的介电常数，在储能领域具有巨大的应用潜力，但高介电损耗却限制了其应用。本文采用固态法共掺杂Mg和Al元素，研究Al掺杂量对CCTO的介电常数、介电损耗和阻抗等物理性能的影响。实验结果表明，Mg和Al元素共掺杂，CCTO的晶格常数减小，衍射峰位向高角度偏移；随Al含量的增加，CCTO的介电常数明显减小，而介电损耗随频率、温度的提高先减小后增大，阻抗显著增大；在中低频、低温时，掺杂可有效降低介电损耗。 |
| 关 键 词： | 钛酸铜钙 介电常数 介电损耗 共掺杂 |