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| 高居里温度Ba_(1-x)Pb_xTiO_3系PTCR陶瓷的研究 | |
| 作者姓名： | 刘梅冬 陈志雄 贾连娣 赖希伟 |
| 作者单位： | 华中工学院固体电子学系(刘梅冬，陈志雄，贾连娣)，华中工学院固体电子学系(赖希伟) |
| 摘 要： | 利用混合氧化物方法和半导化剂Nb_2O_5含量较高的配方、采用高的烧结温度、短的保温时间、以及快速升温、快速降温的快速烧结技术,能有效地防止铅的挥发及控制晶粒长大,制备出晶粒尺寸为2～5μm、PTCR效应强的Ba_(1-x)Pb_xTiO_3系半导体陶瓷。居里温度T_c=310℃的陶瓷样品,室温电阻率小于10~3Ω·cm,PTCR效应达4·5个数量级。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |