| 本征砷化镓光导开关中的流注模型 |
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| 引用本文： | 刘鸿,阮成礼.本征砷化镓光导开关中的流注模型[J].科学通报,2008,53(18):2181-2185. |
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| 作者姓名： | 刘鸿 阮成礼 |
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| 作者单位： | 电子科技大学物理电子学院 |
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| 基金项目： | 国防探索项目资助(编号: 7130520) |
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| 摘 要： | 应用耿效应电子学结合气体放电理论系统研究了高增益砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的工作机理, 提出了以畴电子崩为基础的流注模型, 阐述了畴电子崩概念及其物理意义和高增益GaAs光导开关中载流子的输运过程, 阐明了光导开关中光致电离的效应和畴电子崩可能导致集体碰撞电离在局域引发雪崩现象, 分析了流注形成的临界条件, 导出了流注维持发展的临界条件解析表达式, 揭示了与非线性模式(lock-on效应)密切联系的流注的形成和发展的一般规律. 应用这个模型合理解释了高增益GaAs光导开关的实验结果、非线性现象中流注快速发展和电流的上升时间很快的物理原因, 以及非线性模式的发展过程中的各种现象.
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| 关 键 词： | 光导开关 非线性特性 物理机制 光致电离效应 畴电子崩 临界条件 碰撞电离 流注模型 输运过程 |
| 收稿时间： | 2008-05-04 |
| 修稿时间： | 2008-09-03 |
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