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一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路
引用本文:李芹,蔡理,王森,吴刚.一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路[J].空军工程大学学报,2008,9(1):78-81.
作者姓名:李芹  蔡理  王森  吴刚
作者单位:空军工程大学理学院 陕西西安710051
基金项目:陕西省自然科学基金资助项目(2005F20),空军工程大学理学院科研基金资助项目(2005ZK19)
摘    要:基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。

关 键 词:单电子晶体管  MOS晶体管  反相器  半加器  SPICE
文章编号:1009-3516(2008)01-0078-04
收稿时间:2007-06-13
修稿时间:2007年6月13日

A Novel Half Adder Circuit Using Hybrid Single Electron and MOS Transistors
LI Qin,CAI Li,WANG Sen,WU Gang.A Novel Half Adder Circuit Using Hybrid Single Electron and MOS Transistors[J].Journal of Air Force Engineering University(Natural Science Edition),2008,9(1):78-81.
Authors:LI Qin  CAI Li  WANG Sen  WU Gang
Abstract:Based on I-V characteristics of single-electron transistor and the idea of MOS digital circuit design,an inverter using the single-electro and MOS transistors is proposed and some other logic gate circuits are educed.Finally a novel half adder circuit is realized using these logic circuits.The half adder circuit,in comparison with the pure CMOS circuit,has the advantages that the number of transistor is decreased,the structure of the circuit is predigested,and the total static power consumption is reduced.The accuracy of the circuit is validated by SPICE.
Keywords:single-electron transistor  MOS transistor  inverter  half adder  SPICE
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