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CMOS射频集成电路的设计
引用本文:Thomas H. Lee(T.H.李) 罗银芳. CMOS射频集成电路的设计[J]. 国外科技新书评介, 2005, 0(6): 18-19
作者姓名:Thomas H. Lee(T.H.李) 罗银芳
作者单位:[1]不详 [2]中国科学院计算技术研究所
摘    要:本书是《10^9赫射频(RF)集成电路设计指南》修订后的第二版。自1998年第一版问世后,RFCMOS的商品化突飞猛进,不少公司用CMOS技术制造RF线路,大学也把CMOS作为教学内容,10^9赫频率上的噪声系数在实际线路中已低于1dB,优良的RF器件模型也相继出现……这些都为本书的适时修订提供了充分条件。

关 键 词:CMOS射频集成电路 设计指南 1998年 技术制造 教学内容 噪声系数 充分条件 器件模型 第二版

The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits
Thomas;H.;Lee;Luo YinFang. The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits[J]. Scientific & Technology Book Review, 2005, 0(6): 18-19
Authors:Thomas  H.  Lee  Luo YinFang
Abstract:
Keywords:
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